カーボンナノチューブ成長用基板及びカーボンナノチューブの形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山川政樹 , 黒川弘朗 , 山川茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-091072
公開番号（公開出願番号）：特開2006-273601
出願日： 2005年03月28日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】所望とする位置及び密度にカーボンナノチューブが形成され状態を、高い精度でより容易に得られるようにする。【解決手段】結晶シリコンからなる基板101の上に、シリコン酸化膜102を備え、シリコン酸化膜102には、所定の間隔で配列された貫通孔104を備えている。貫通孔104の部分においては、基板101の表面が露出し、シリコン酸化膜102が存在していない。また、シリコン酸化膜102の上には、触媒金属層103が形成されている。このように構成されたカーボンナノチューブ成長用基板によれば、よく知られた触媒金属法によるカーボンナノチューブの成長において、基板温度を上昇させる段階で、シリコン酸化膜102の上の触媒金属層103は、拡散して消滅する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

加熱した基板に炭素原料ガスを供給することにより触媒金属にカーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブの形成方法において、シリコンからなる基板の上にシリコン酸化膜が形成された状態とする工程と、他の領域に比較してシリコンの割合が多くなっている劣化した部分が前記シリコン酸化膜に形成された状態とする工程と、前記シリコン酸化膜を加熱することにより前記劣化した部分の前記シリコン酸化膜が除去されて貫通孔が形成された状態とする工程と、前記貫通孔を含む前記シリコン酸化膜の上に触媒金属からなる触媒金属層が形成された状態とする工程と、前記基板を加熱して前記触媒金属が拡散する状態とし、前記触媒金属が前記シリコン酸化膜の表面より消失し、前記貫通孔の内部における前記基板の表面のみで島状に凝集して触媒金属粒が形成された状態とする工程と、炭素原料ガスを供給することで前記触媒金属粒にカーボンナノチューブが形成された状態とする工程とを少なくとも備えることを特徴とするカーボンナノチューブの形成方法。

IPC (2件)：

C01B 31/02 , B82B 3/00

FI (2件)：

C01B31/02 101F , B82B3/00

Fターム (28件)：

4G146AA11 , 4G146AB06 , 4G146AD28 , 4G146AD29 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BB22 , 4G146BB23 , 4G146BC15 , 4G146BC18 , 4G146BC42 , 4G146BC43 , 4G146BC44 , 5C127BA15 , 5C127BB07 , 5C127CC03 , 5C127DD03 , 5C127DD05 , 5C127DD12 , 5C127DD18 , 5C127DD53 , 5C127DD62 , 5C127EE04 , 5C127EE15 , 5C135AA15 , 5C135AB07 , 5C135HH04 , 5C135HH15

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