特許

J-GLOBAL ID：200903021858331466

ガス処理方法

発明者： 竹下 和宏 ,  永嶋 慎二 ,  片山 恭成 ,  矢野 和利 ,  水谷 洋二
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-092496
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274148
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 市販のアンモニア水(30重量%)にアンモニアガスを吹き込んで水蒸気で飽和したアンモニアガスを発生させ、これにより塗布膜のゲル化処理を行うにあたって、安定した処理を行うこと。【解決手段】 バブリングにより水蒸気を含むアンモニアガスを発生させる2個のガス発生源71,72を用意する。一方のガス発生源71(72)内のアンモニア水が不足して補充する場合、補充後のアンモニア水は濃度が低いため、しばらくの間アンモニアガスを吸収し、その間アンモニアガスの発生が停止する。そこで他方のガス発生源72(71)においてあらかじめしばらくバブリングを行っておき、バイパス路83(82)を介して排気しておき、ガス発生源71(72)の一方から他方に切り替える。

請求項（抜粋）：

成膜成分の出発物質の粒子またはコロイドを溶媒に分散させた塗布液が表面に塗布された被処理体に対して、塗布膜中の前記粒子またはコロイドをアンモニアガスによりゲル化するための方法において、前記被処理体を処理容器内に搬入する工程と、次いでアンモニアの濃度が飽和濃度よりも低いアンモニア水が貯水された第1の容器内をアンモニアガスによりバブリングして水分の蒸気を含むアンモニアガスを発生させ、そのアンモニアガスを前記処理容器内に供給する第1の処理工程と、アンモニアの濃度が飽和濃度よりも低いアンモニア水が貯水された第2の容器内をアンモニアガスによりバブリングして水分の蒸気を含むアンモニアガスを発生させ、そのアンモニアガスを処理容器を経由せずに排気する工程と、その後、前記第1の容器から処理容器に至るガス流路を前記第2の容器から処理容器に至るガス流路に切り替えて、第2の容器から発生するアンモニアガスを前記処理容器内に供給する第2の処理工程と、しかる後、第1の容器内に前記アンモニア水を補充する工程と、を含むことを特徴とするガス処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/31 A ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 Q