特許
J-GLOBAL ID：200903021858772306
化合物半導体の熱処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-097551
公開番号（公開出願番号）：特開平6-305900
出願日： 1993年04月23日
公開日（公表日）： 1994年11月01日
要約：
【要約】【目的】 特にIII-V族或はII-VI族化合物半導体における空格子点などの結晶欠陥を低減させ、以て発光・受光素子等の作製に好適な基板の製造を可能ならしめる化合物半導体の熱処理方法を提供する。【構成】 InPにおけるInの空格子点濃度を低減させる場合には、封管1内に熱処理を施すInP基板2と、Inの同族元素であり同族元素蒸気圧源となるGa3と、構成元素蒸気圧源となるIn5とを真空封入し、封管1を電気炉などで加熱する。GaAsにおけるAsの空格子点濃度を低減させる場合には、封管1内に熱処理を施すGaAs基板12と、Asの同族元素であり同族元素蒸気圧源となるP(例えば赤リン)13を真空封入する。【効果】 比較的低温で生産上支障のない実用的な時間内での熱処理で、深い準位を形成して非発光再結合中心となる結晶欠陥の極めて少ない良質な化合物半導体結晶を得ることができ、発光・受光素子用の基板の製造に極めて有効である。
請求項（抜粋）：
化合物半導体における構成元素の同族元素のうち当該構成元素以外の元素よりなり、且つその同族元素の蒸気を発生可能な同族元素蒸気圧源を化合物半導体の結晶とともに封管内に封入し、その封管を加熱することにより前記化合物半導体の結晶を熱処理することを特徴とする化合物半導体の熱処理方法。
IPC (4件)：
C30B 33/02
, C30B 29/40
, H01L 21/203
, H01L 21/363
