半導体基板の評価装置および評価方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-183906
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015567
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】本発明は、光散乱を利用した半導体ウェーハの評価装置において、ウェーハの表面を、選択的、高感度、かつ、非破壊で評価できるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、光の入射方向と同一方向に半導体ウェーハの表面を走査し、全面より取得した散乱体情報を、微小なサイズのセルMCに分割する。そして、各セルMC中に含まれる散乱体について、ある閾値dth以下に隣接する散乱体が存在する散乱体Ni を抽出する。この後、散乱体Ni の座標(xi ,yi )について、最小2乗法による直線回帰を行って、その傾きαおよび相関係数Rを求める。ある閾値αthおよびRthに対して、α>αth、かつ、R>Rthを満たす場合、そのセルMCは加工ダメージありと判定する。これにより、加工ダメージだけを選択的に検出することが可能な構成となっている。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に一定の入射方向より光を照射する光学系と、前記半導体基板の表面からの、該基板表面に存在する欠陥による散乱光を取得する取得手段と、前記光学系によって、前記光の入射方向と同一方位に前記半導体基板の表面を走査しつつ、前記取得手段の出力にもとづいて、前記欠陥の基板面内での分布を示す散乱体情報を抽出する抽出手段と、この抽出手段により抽出された前記散乱体情報を複数の評価領域に分割し、各評価領域について、前記散乱体情報が互いに隣接して存在する散乱体情報列の、前記光の入射方向に対する交叉の角度、および、直線性からのずれ量をそれぞれ求め、前記角度が25°〜90°で、かつ、前記ずれ量を示す相関係数が0.5以上または-0.5以下のとき、該基板表面に存在する加工ダメージを欠陥として検出する検出手段とを具備したことを特徴とする半導体基板の評価装置。

IPC (2件)：

H01L 21/66 , G01N 21/88

FI (2件)：

H01L 21/66 J , G01N 21/88 645 A

Fターム (47件)：

2G051AA51 , 2G051AB07 , 2G051BA10 , 2G051BA11 , 2G051CA03 , 2G051CA04 , 2G051CB05 , 2G051DA07 , 2G051EA16 , 2G051EA20 , 2G051EC01 , 2G051EC03 , 2G051EC07 , 2G051ED07 , 4M106AA01 , 4M106BA04 , 4M106BA05 , 4M106CA19 , 4M106CA41 , 4M106CA42 , 4M106CA43 , 4M106CA46 , 4M106DB01 , 4M106DB02 , 4M106DB07 , 4M106DB08 , 4M106DB11 , 4M106DB12 , 4M106DH04 , 4M106DH11 , 4M106DH12 , 4M106DH31 , 4M106DH32 , 4M106DH37 , 4M106DH38 , 4M106DJ01 , 4M106DJ02 , 4M106DJ03 , 4M106DJ04 , 4M106DJ11 , 4M106DJ14 , 4M106DJ18 , 4M106DJ20 , 4M106DJ21 , 4M106DJ23 , 4M106DJ26 , 4M106DJ27

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