特許
J-GLOBAL ID：200903021862438780
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-259669
公開番号（公開出願番号）：特開2002-074935
出願日： 2000年08月29日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】 アドレス設定回路をメモリセルアレイと同数分用意すれば、見かけ上独立に動作するメモリセット数を可変にすることができるが、メモリセット数を固定にする場合よりもアドレス設定回路の搭載数が増加するため、半導体記憶装置のレイアウト面積の拡大を招くなどの課題があった。【解決手段】 メモリセルアレイ21〜26とアドレス設定回路33〜35の対応関係をメモリセット数選択信号に応じて切り替える切替回路36を設ける。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルアレイとそれぞれ接続され、当該メモリセルアレイに対するデータのリード・ライトを実行する複数のリード・ライト回路と、上記複数のメモリセルアレイにおける複数のメモリセット数のうち、最大のメモリセット数分だけ用意され、上記複数のリード・ライト回路がリード・ライトを実行するアドレスを設定する複数のアドレス設定回路と、上記複数のメモリセルアレイと上記複数のアドレス設定回路の対応関係をメモリセット数の選択信号に応じて切り替える切替手段とを備えた半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 7/00 311
, G11C 8/00 311
G11C 7/00 311 Z
, G11C 8/00 311 Z
