特許
J-GLOBAL ID：200903021865819628
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-326394
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136207
出願日： 1991年11月14日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】 薄形で集積度、放熱性能および生産性が高く、しかも、変形し難い半導体装置およびその製造方法を提供することにある。【構成】 一主面に複数個のバンプ12が形成された2個のペレット11A、11Bをバンプ12がインナリード29にそれぞれ整合するように対向し、両ペレット11A、11Bはリード群に異方導電性接着剤層33を介して電気的かつ機械的にそれぞれ接続する。【効果】 2個のペレットがリード群に電気的かつ機械的に接続されているため、半導体装置1個当たりの集積度は約2倍になり、集積度に対する半導体装置の厚さはきわめて薄くなる。2個の半導体ペレットはバンプと反対側の主面が外側を向くことになるため、反対側の主面はそれぞれ露出させることができ、放熱性能を高めることができる。2個の半導体ペレットとリード群との間には異方導電性接着剤が形成されているため、2個の半導体ペレットの間には隙間が発生することはない。
請求項（抜粋）：
電子回路が作り込まれ、一主面に複数個の電極パッドがそれぞれ形成された半導体ペレットが2個、互いの電極パッド群のそれぞれが前記電子回路を外部に電気的に引き出すためのリード群のそれぞれに整合するように、かつ、接続端子を挟んで対向されているとともに、両半導体ペレットはリード群に異方導電性接着剤層を介して電気的かつ機械的にそれぞれ接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/52
, H01L 23/12
, H01L 23/28
