特許

J-GLOBAL ID：200903021867357982

磁気抵抗メモリセルに書き込む方法および本方法によって書き込まれ売る磁器抵抗性メモリ

発明者： フライターク, マルティン ,  ミーターナー, シュテファン ,  ラベルグ, ウォルフギャング
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジーズ アクチェンゲゼルシャフト
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-566499
公開番号（公開出願番号）：特表2004-528665
出願日： 2002年01月24日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：

本発明は、MRAMメモリの磁気抵抗メモリセルに書き込むための方法に関する。この方法で、書き込み電流(IWL、IBL)は、各場合について、ワード線(WL)およびビット線(BL)に印加され、この書き込み電流によって生成された磁界の重ね合わせが、対応するワード線およびビット線によって選択された各メモリセルにおいて磁化方向の変化をもたらす。この方法で、書き込み電流(IWL、IBL)は、互いに対して時間的にオフセットされた態様で、それぞれのワード線(WL)およびビット線(BL)に印加されて、選択されたメモリセルの磁化方向が、論理値「0」または「1」を書き込むように所望される方向にて、複数の連続的ステップ(a〜h)で回転される。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

MRAMメモリの磁気抵抗メモリセルに書き込む方法であって、書き込み電流(IWL、IBL)は、各場合について、ワード線(WL)およびビット線(BL)に印加されて、対応する該ワード線(WL)および該ビット線(BL)によって選択された各メモリセル(MTJ)において、書き込み電流によって生成された磁界(Hx(IBL)、Hy(IWL))の重なり合いが磁化方向を変化させる、方法であって、 該書き込み電流(IWL、IBL)は、それぞれの該ワード線(WL)および該ビット線(BL)に、互いに対して時間的にオフセットされた態様で印加されて、該選択されたメモリセル(MTJ)の該磁化方向が、論理値「0」または「1」を書き込むように所望される該方向に、複数の連続的ステップにて回転されることを特徴とする、方法。

IPC (2件)：

G11C11/15 ,  H01L43/08

FI (3件)：

G11C11/15 140 ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447

Fターム (2件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA21

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特公昭50-033623