特許

J-GLOBAL ID：200903021867926189

半導体装置

発明者： 水越 正人
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-203825
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070136
出願日： 1994年08月29日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】 フォトカプラをモノリシリック化した半導体装置において基板と配線および電極との間の絶縁破壊を防止するためのフィールド酸化膜を薄くすることができる半導体装置を提供することにある。【構成】 シリコン基板1上にポリシリコン層3が形成され、そのポリシリコン層3上には誘電体分離膜5a,5bで囲まれた単結晶シリコン島6a,6bが形成されている。単結晶シリコン島6aには発光ダイオード14が形成されている。単結晶シリコン島6bにはフォトトランジスタ18が形成されている。発光ダイオード14とフォトトランジスタ18は酸化チタン層22により光学的に結合されている。発光ダイオード14とフォトトランジスタ18での外部と結線するためのアルミ配線23,24,27,28およびAu-Zn電極13が、島6a,6bの内部にのみ形成されている。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成され、誘電体分離膜で囲まれた半導体層よりなる複数の島と、前記島に形成された発光素子と、前記発光素子が形成された島以外の島に形成され、前記発光素子に対し導波路形成部材により光学的に結合された受光素子とを備えた半導体装置において、前記発光素子と前記受光素子での外部と結線するための配線および電極を、前記島の内部にのみ形成したことを特徴とする半導体装置。