特許
J-GLOBAL ID：200903021869841261

パターン形成方法

発明者：
遠藤 政孝

遠藤 政孝 について

, 
笹子 勝

笹子 勝 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-334253
公開番号（公開出願番号）：特開2003-140342
出願日： 2001年10月31日
公開日（公表日）： 2003年05月14日
要約：
【要約】【課題】 化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜に照射する極紫外線又は電子線の露光エネルギーの低減を図る。【解決手段】 フェノールポリマーと、アクリルポリマーと、酸発生剤としてのオニウム塩とを有する化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜11を形成する。レジスト膜11に対して極紫外線12を選択的に照射してパターン露光を行なう。パターン露光されたレジスト膜11を現像してレジストパターン13を形成する。
請求項（抜粋）：
フェノールポリマーと、アクリルポリマーと、酸発生剤としてのオニウム塩とを有する化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に対して、1nm帯〜30nm帯の波長を有する極紫外線、又は電子線を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、パターン露光された前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (13件)：
2H025AA01 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB13 ,  2H025CB14 ,  2H025CB17 ,  2H025FA17
引用特許：
審査官引用 (5件)
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