特許

J-GLOBAL ID：200903021871727654

縦型電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： 平山 照峰
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-221436
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065160
出願日： 1996年08月22日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 チャネル長のバラツキをなくすることにより、安定した特性が得られる縦型電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 イオン注入により基板2の所定の深さに基板2と反対導電型の埋め込み層3が形成され、基板2に凸部2bを形成するための凹部2aの底部がこの埋め込み層3内に存し、かつ凹部2aの幅が埋め込み層3の幅より小に設定され、凸部2bの表面及び凹部2aの底面に、それぞれソース、ドレインとなる不純物領域4a,4b,5a,5bが形成され、凸部2b側壁に形成されるチャネル領域のチャネル長Lが、埋め込み層3と凸部2b表面の不純物領域5a,5bとの間で設定されてなる縦型電界効果トランジスタ1を構成する。

請求項（抜粋）：

基板に形成された凸部を有し、該凸部の側壁をチャネル領域とする縦型電界効果トランジスタにおいて、イオン注入により上記基板の所定の深さに上記基板と反対導電型の埋め込み層が形成され、上記凸部を形成するための凹部の底部が上記埋め込み層内に存しかつ凹部の幅が埋め込み層の幅より小に設定され、上記凸部の表面及び上記凹部の底面に、それぞれソース、ドレインとなる不純物領域が形成され、上記埋め込み層と上記凸部表面の不純物領域との間でチャネル長が設定されてなることを特徴とする縦型電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 29/78 653 B ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 29/78 652 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-145761
  
• 特開平4-080968
  
• 特開平2-039473