特許

J-GLOBAL ID：200903021873679193

窒化アルミニウムバルク結晶を制御可能にドーピングする方法

発明者： モーガン,ケネス,イー. ,  ショウォルター,レオ,ジェイ ,  スラック,グレン,エイ.
出願人/特許権者： クリスタル・イズ,インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-503043
公開番号（公開出願番号）：特表2009-532313
出願日： 2007年03月30日
公開日（公表日）： 2009年09月10日
要約：

ドープされた及びドープされていない化学量論的な高純度の多結晶AlNセラミックスの製造が、例えばAlペレットを窒素ガスと反応させることによって行われる。このような多結晶AlNセラミックスは、高純度のAlN単結晶の製造で使用することができ、このAlN単結晶は、その導電性を増大させるためにアニールすることがでる。

請求項（抜粋）：

多結晶AlNを形成する方法であって、 坩堝内にAlを含むペレットを供給し、 前記ペレットを、反応温度及び反応圧力で、窒素ガスと反応させ、多結晶AlNセラミックスを形成するステップを含み、 多結晶AlNセラミックスがほぼ化学量論的である、方法。

IPC (5件)：

C04B 35/581 ,  C30B 29/38 ,  C30B 23/06 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/324

FI (5件)：

C04B35/58 104V ,  C30B29/38 C ,  C30B23/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/324 C

Fターム (29件)：

4G001BA62 ,  4G001BA63 ,  4G001BB36 ,  4G001BC44 ,  4G001BC52 ,  4G001BC54 ,  4G001BC61 ,  4G001BD38 ,  4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB03 ,  4G077AB06 ,  4G077AB09 ,  4G077BE13 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EB01 ,  4G077EB06 ,  4G077EC02 ,  4G077EC10 ,  4G077FE02 ,  4G077FE05 ,  4G077FE11 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 高熱伝導窒化アルミニウム焼結体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-358913   出願人：ファインセラミックス技術研究組合, 工業技術院長
• 低抵抗n型および低抵抗p型単結晶AlN薄膜の合成法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-208612   出願人：科学技術振興事業団

引用文献：

審査官引用 (1件)

• ALN SINGLE CRYSTALS