特許

J-GLOBAL ID：200903021878773767

MOS型固体撮像装置及びその駆動方法

発明者： 山下 浩史 ,  松長 誠之 ,  佐々木 道夫 ,  馬渕 圭司 ,  宮川 良平 ,  飯田 義典
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-247872
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098175
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】 リーク電流による雑音によって発生する再生画面の画質の劣化を防止することができるMOS型固体撮像装置を提供する。【解決手段】 本発明は、半導体基板上に複数の単位セルが形成されたMOS型固体撮像装置において、単位セルは、半導体基板上の一部に形成され、光を電荷に変換する第1の導電型の光電変換領域34と、光電変換領域にて変換された電荷を蓄積し、且つ半導体基板上の一部に形成された第1の導電型の電荷検出領域33と、光電変換領域と電荷検出領域との表面の少なくとも一部に形成され、半導体基板の界面を空乏化させない濃度の第1の導電型とは異なる第2の導電型の第2導電型領域81とを具備したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に複数の単位セルが形成されたMOS型固体撮像装置において、前記単位セルは、前記半導体基板上の一部に形成され、光を電荷に変換する第1の導電型の光電変換領域と、前記光電変換領域の表面の少なくとも一部に形成され、前記半導体基板の界面を空乏化させない濃度の前記第1の導電型とは異なる第2の導電型の第2導電型領域とを具備したことを特徴とするMOS型固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-061573
  
• 特開昭3-027683
  
• 特開平4-332166