特許

J-GLOBAL ID：200903021882251600

半導体装置の製造方法

発明者： 木村 忠之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-111576
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306664
出願日： 1995年05月10日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】 コンタクトホールの開口幅と同程度のパターン幅の上層配線を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 第1密着層13を介してプラグ14が形成されたコンタクトホール12a上を含む層間絶縁膜12上に、第2密着層15を介して配線層16を成膜し、配線層16上に絶縁性材料からなる保護膜17を成膜する。配線層16と保護膜17とをエッチング加工し、コンタクトホール12aの開口幅w1 と同程度のパターン幅w2 を有する上層配線16aと保護パターン17aとをコンタクトホール12a上を含む層間絶縁膜12上に形成する。保護パターン17aと上層配線16aとの側壁にエッチング加工の際の合わせずれ幅よりも広い幅w3 のサイドウォール19を形成する。保護パターン17aとサイドウォール19とをマスクにして第2密着層15をエッチングし、密着層パターン15aを形成する。

請求項（抜粋）：

基板上の層間絶縁膜に形成したコンタクトホール内に第1密着層を介して埋め込みプラグを形成する工程と、前記第1密着層及び前記埋め込みプラグ上を含む前記層間絶縁膜上に第2密着層を介して配線層を成膜し、当該配線層上に絶縁性材料からなる保護膜を成膜する工程と、前記配線層と前記保護膜とをエッチング加工し、前記コンタクトホール上を含む前記層間絶縁膜上に当該コンタクトホールの開口幅と同程度のパターン幅を有する当該配線層からなる上層配線と当該保護膜からなる保護パターンとを形成する工程と、前記保護パターンと前記上層配線との側壁に前記エッチング加工の際の合わせずれ幅よりも広い幅を有するサイドウォールを形成する工程と、前記保護パターンと前記サイドウォールとをマスクにして前記第2密着層をエッチングし、当該第2密着層からなる密着層パターンを形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/90 D ,  H01L 21/90 P