半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松村修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-184377
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009227
出願日： 2000年06月20日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】メモリ機能を有する半導体の積層モジュールにおいて、各半導体メモリ素子の配線を変えることなくしかも複数段に積層させた半導体メモリモジュールを提供することを目的とする。【解決手段】フラッシュメモリ10をインタポーザ基板11上に搭載し、インタポーザ基板11をスペーサ基板12を介して互いに重合わせるように配列し、このときにスペーサ基板12に形成されているスルーホール24、端子25、および接続パターン26によってフラッシュメモリ10の電極を必要に応じてそれぞれ別々に、あるいは共通に接続する。

請求項（抜粋）：

複数の半導体素子をその厚さ方向に配列して成る半導体装置において、それぞれの半導体素子をマウントしているインタポーザ基板と、前記インタポーザ基板間に配され、該インタポーザ基板間の接続を行なう導通手段を有するスペーサ基板と、前記インタポーザ基板および前記スペーサ基板を介して前記複数の半導体素子が実装されるベース基板と、を具備する半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 23/12 501 , H01L 23/52

FI (3件)：

H01L 23/12 501 B , H01L 25/08 Z , H01L 23/52 C

前のページに戻る