半導体多値メモリ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-345832
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182470
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】同一ワード線により駆動される全メモリセルの読みだし信号が判別可能で、かつ、読みだし信号と参照信号の信号経路の条件を等しくした半導体多値メモリを提供する。【構成】メモリセルMCが接続されたデータ線DAあるいはDBと、ダミーセルDCが接続されたダミーデータ線DDAあるいはDDBとを含んで構成された6個のサブアレーSAA,SABが設けられ、データ母線GDA,GDBを介して多値センス回路MSCに接続されている。そして、サブメモリアレーSAA内のデータ線DAから読みだし信号を、SAB内のDBから参照信号を、多値センス回路MSCに同時に伝達する。【効果】読出し信号と参照信号に対して、信号経路のバランスをとることができ、高S/Nな半導体多値メモリを実現できる。

請求項（抜粋）：

等しい本数の二つのグループに分けられた複数のデータ線と、それらと交わるように配置された複数のワード線と、上記データ線と上記ワード線の所望の交差部に配置され、少なくとも3値以上であるm値の情報を記憶保持するメモリセルと、上記ワード線を駆動することにより該メモリセルから該データ線に出力される読出し信号を判別する多値センス回路と、上記多値センス回路におけるm値の判別に用いられる(m-1)種類の参照信号を発生させる複数個のダミーセルを有し、選択された上記ワード線上の全メモリセルが対応するデータ線に読出され、少なくとも(m-1)以上のq個を単位として、一方のグループのデータ線に読出された読みだし信号が順次上記多値センス回路に入力され、他方のグループのデータ線にダミーセルから読出されたq個の参照信号と比較される半導体多値メモリ。

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭61-117796
特開昭63-195897
特開平1-192086

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審査官引用 (4件)

特開昭61-117796
特開昭63-195897
特開平1-192086

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