特許

J-GLOBAL ID：200903021888485034

フォトマスクの臨界寸法偏差を補償するための装置および方法

発明者： デイビッド、エイチ.ジガー
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-506167
公開番号（公開出願番号）：特表2004-502308
出願日： 2001年06月15日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】本発明は、フォトマスクにわたる臨界寸法偏差を補償するための装置および方法を提供する。【解決手段】この方法において、フォトマスクは複数の区域に分割される。その後、フォトマスクの各区域において臨界寸法が測定される。測定された臨界寸法に基づいて、フォトマスクの各区域における目標寸法からの臨界寸法の偏差を示す偏差マップが形成される。偏差マップから、フォトマスクの各区域において、目標寸法からの臨界寸法偏差を補償するために必要な化学線減衰量が決定される。決定された化学線の減衰量に基づいて、フォトマスクの各区域を通じた化学線の透過を減少され、これにより、フォトマスクの各区域において、臨界寸法偏差が目標寸法へと補正される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

フォトレジストパターンを半導体ウエハの露光領域上に形成するための装置において、 前記半導体ウエハの露光領域上にフォトマスクパターンを照射するための化学線を形成するようになっている光源と、 前記光源からの化学線を集束するためのレンズと、 前記レンズからの化学線を濾過するフィルタと、 基板と焦点板の層とを有し、前記基板は化学線を透過し、前記焦点板の層は1または複数のフォトレジストパターンを規定するフォトマスクであって、複数の区域に分割されるとともに、前記レンズからの化学線を1または複数の区域で減衰して1または複数の区域における目標臨界寸法からの臨界寸法偏差を補償するようになっており、前記フィルタの複数の区域からの化学線を受けて、半導体ウエハの露光領域を照明するフォトマスクを備えた、露光領域上にフォトレジストパターンを形成する装置。

IPC (3件)：

H01L21/027 ,  G03F1/08 ,  G03F7/20

FI (7件)：

H01L21/30 515F ,  G03F1/08 A ,  G03F1/08 B ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 516D ,  H01L21/30 502P ,  H01L21/30 531M

Fターム (8件)：

2H095BB01 ,  5F046AA25 ,  5F046BA03 ,  5F046CA08 ,  5F046CB17 ,  5F046DA02 ,  5F046DD03 ,  5F046GA03