特許
J-GLOBAL ID：200903021893352824
半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-186432
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151481
出願日： 1992年07月14日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 コレットにより半導体素子を吸着する際のコレットと半導体素子表面の衝撃荷重を低減せしめて半導体素子表面に実装されている微細配線の断線および接触不良を防止するようにした半導体製造装置を得る。【構成】 コレット1を一定の下降位置H1から下降せしめ、半導体素子3の表面に接触するまでの間、コレット1に形成した吸引孔2から半導体素子3の表面に向けてガスを噴出せしめてコレット1の半導体素子3の表面への接触時の衝撃荷重を低減させたことを特徴としている。
請求項（抜粋）：
半導体素子をコレットにより吸着して搬送し、リードフレームのダイパット部にダイボンディングにより圧着する半導体製造装置において、前記半導体素子を前記コレットにより吸着する際、前記コレットが下降を開始し前記半導体素子の表面に接触するまでの間、前記コレットに形成された吸引孔からガスを噴出する構成としたことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
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