特許

J-GLOBAL ID：200903021894009279

半導体装置

発明者： 日野 康史
出願人/特許権者： ソニー・エリクソン・モバイルコミュニケーションズ株式会社
代理人 (1件)： 米山 尚志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-109527
公開番号（公開出願番号）：特開2003-303843
出願日： 2002年04月11日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：

【要約】【課題】 集積回路のうち任意の集積回路と他の集積回路との間でインダクタンス値を可変して、回路設計自体に自由度を持たせることができる半導体装置を提供する。【解決手段】 集積回路を構成する半導体チップ1と、外部接続端子であるリード2と、集積回路とリード2とを接続するボンディングワイヤ3と、これら半導体チップ1、リード2及びボンディングワイヤ3を絶縁性の樹脂でモールドする基台4とを備える。そして、半導体チップ1を、基台4に対して偏芯した位置に配置することによって、第1の集積回路6とリード2を接続するボンディングワイヤ3の長さを、第2の集積回路7とリード2を接続するボンディングワイヤ3の長さよりも長くする。これによって、第1の集積回路6及び第2の集積回路7にそれぞれ接続される各ボンディングワイヤ3のインダクタンス値に差異を持たせることができ、回路設計に自由度を持たせることが可能となる。

請求項（抜粋）：

集積回路を構成する半導体集積回路部と、外部接続端子と、前記集積回路と前記外部接続端子とを接続する結線と、前記半導体集積回路部、前記外部接続端子及び前記結線をパッケージする絶縁性の基台とを備え、前記半導体集積回路部を、前記基台に対して偏芯した位置に配置したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/52 ,  H01L 23/12 301

FI (3件)：

H01L 21/60 301 B ,  H01L 21/52 A ,  H01L 23/12 301 Z

Fターム (4件)：

5F044AA01 ,  5F044CC00 ,  5F047AA11 ,  5F047AA17