特許
J-GLOBAL ID：200903021897863785
空間光変調素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-018989
公開番号（公開出願番号）：特開平5-216061
出願日： 1992年02月04日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 印加電圧に応じて読み出し光の強度、位相又は進行方向を変調する液晶材料からなる光変調層を備えた空間光変調素子において、光導電層の側へと読み出し光が漏れるのを効果的に防止すると共に、読み出し光を吸収しても素子の解像度が劣化しないようにすることである。【構成】 光導電層1Aの表面に、透明電極膜2Aと遮光層3が設けられる。遮光層3の上に誘電体多層膜4、液晶材料からなる光変調層8、透明電極膜2Bを設ける。108 Ωcm〜1010Ωcmの抵抗率と波長600mm の光に対して104 cm-1〜105 cm-1の光吸収係数を有する水素化アモルファスシリコン膜によって遮光層3を構成する。この水素化アモルファスシリコン膜は、モノシランガスを流し、基板の温度を120 °C以下に保持してプラズマCVD 法で成膜する。
請求項（抜粋）：
光導電層と、この光導電層の一方の面に設けられた一方の透明電極膜と、前記光導電層の他方の面に設けられた遮光層と、この遮光層上に設けられた誘電体多層膜と、この誘電体多層膜上に設けられた光変調層と、この光変調層の表面に設けられた他方の透明電極膜とを少なくとも備えた空間光変調素子であって、印加電圧に応じて読み出し光の強度、位相又は進行方向を変調する液晶材料によって前記光変調層が形成され、108 Ωcm〜1010Ωcmの抵抗率と波長600 nmの光に対して104 cm-1〜105 cm-1の光吸収係数を有する水素化アモルファスシリコン膜によって前記遮光層が構成されている、空間光変調素子。
引用特許：
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