特許
J-GLOBAL ID：200903021901242570
プラズマ生成装置および半導体薄膜のプラズマ処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-323562
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160042
出願日： 1991年12月09日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】 反応管内にプラズマを生成させる装置および半導体薄膜のプラズマ処理方法に関するものであり、一度に大量の基板のプラズマ処理が可能な装置を提供し、かつこの装置により均一なプラズマ処理方法を提供することを目的とする。【構成】 縦型円筒形の石英ガラスからなる反応管1内に基板7をセットした支持台5を挿入し、反応管外部に設けた電極12から電圧を印加することにより基板面と平行な水平方向からプラズマを生じさせる構造である。また、基板の支持台を回転させることにより、基板面内のプラズマ電位分布が不均一でも、均一なプラズマ処理を行な得るようにしたものである。さらに、プラズマ処理中に印加電圧を変化させることにより、プラズマ電位分布を変化させて、より均一なプラズマ処理を行な得るようにしたものである。
請求項（抜粋）：
外周に、加熱部および少なくとも1つ以上の電極が配置されるとともに、ガス導入部および排気部が接続された反応管と、前記反応管内に出退自在にされた基板の支持台とを備えたプラズマ生成装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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