特許
J-GLOBAL ID：200903021901812775
歪み線形化回路、及び歪み線形化器を備えた衛星
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
生沼 徳二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-315460
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251996
出願日： 1992年11月26日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】 振幅に対して過度の影響を与えることなく位相を補正すると共に、位相変化に影響を与えることなく非線形振幅変化を最小にすることのできる歪み線形化器を提供する。【構成】 FET18はソース-ドレインバイアスなしに動作し、ソース-ドレイン伝導路26は伝送線12に直列に接続されている。ゲート-アースインピーダンスはソース-ドレイン伝導路を通る信号の非線形歪み又は利得及び/又は位相を印加するようにピンチオフ近くのゲート電圧に関連して選択される。インダクタはソースからドレインにブリッジ接続されている。インダクタの大きさは位相変化に影響を与えることなく非線形振幅変化を最小にするように調整され、位相変化は振幅変化に影響されない。ブリッジ接続のインダクタに直列に接続されている抵抗は振幅変化を位相変化に対して無関係であるように選択される。このような2つの独立した振幅及び位相補正器が縦続接続されている。
請求項（抜粋）：
歪ませられるべき信号の振幅及び位相の少なくとも一方を前記歪ませられるべき信号の振幅に応じて特定の周波数範囲内において歪ませる回路であって、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の信号の流れを制御可能な経路とを含んでいるFETと、前記ゲート電極に接続されていると共に前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方に接続されており、前記制御可能な経路を通る信号の歪みに対して前記FETを制御するように前記ゲート電極にバイアス電圧を印加するバイアス手段と、前記ゲート電極と基準電位点との間に接続されており、前記制御可能な経路を通る前記信号の歪みに対して前記FETを制御する前記バイアスと協働するべく前記周波数範囲内においてある範囲の値を有するように選択されているリアクタンス手段と、前記ソース電極に接続されている第1の端部と、前記ドレイン電極に接続されている第2の端部とを含んでおり、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記信号の流れに対する代わりの経路を形成しているインピーダンス手段と、前記歪ませられるべき信号を前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方に供給しており、歪ませられた信号を発生すべく前記歪ませられるべき信号を前記制御可能な経路及び前記代わりの経路に通すと共に前記歪ませられた信号を利用手段に供給する供給手段とを備えた回路。
IPC (2件)：
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