特許

J-GLOBAL ID：200903021903784523

半導体記憶装置の製造方法

発明者： 中尾 広宣
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-284551
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121763
出願日： 1991年10月30日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】 絶縁膜中にクラスター状の金属を析出させた絶縁膜をトランジスターのゲートに用いた不揮発性メモリーデバイスの特性の向上を計る。【構成】 製法として、前記最端のクラスターをセルフアラインマスクとして、斜めイオン・インプランテーションにより、オーバーラップを形成する。すなわちSi基板に最も近くかつ最もドレイン寄りのクラスターがドレイン拡散層と少くとも一部が絶縁体をへだててオーバーラップさせると共に、各クラスターはそれぞれオーバーラップしている。セルは1Tr/cell構造で形成する。

請求項（抜粋）：

Si基板上に設けた一定巾の絶縁膜層中にクラスター状の半導体金属を析出させ、かつ前記絶縁膜層の上部にゲート電極を設けると共に、前記絶縁膜層の下部に両側で互に対向するソース電極とドレイン電極を設けてなる半導体記憶装置の製造方法にして、Si基板にドレイン電極を形成する不純物を、Si基板の斜め上方より絶縁膜層の下方に向けて斜めイオン・インプランテーションで投入してドレイン電極を絶縁膜層の下方に突入した状態で形成したことを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 D