フォトレジスト現像廃液の処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三浦進二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-196626
公開番号（公開出願番号）：特開2001-017965
出願日： 1999年07月09日
公開日（公表日）： 2001年01月23日
要約：

【要約】【課題】フォトレジスト及び水酸化テトラアルキルアンモニウム(TAAH)を少なくとも含む現像廃液の従来の再生処理方法では充分に除去できなかったNa、Fe、Al等の一部の微量不純物を簡単で安価な方法で除去することのできるフオトレジスト現像廃液の処理方法を提供する。【解決手段】フォトレジスト現像廃液の再生処理過程において、フォトレジスト及びTAAHを少なくとも含む現像廃液又は該現像廃液に由来するTAAH含有溶液をキレート形成基、陰イオン交換基又は陽イオン交換基を有する多孔性濾過膜で処理する工程を行うことにより、Na、Fe、Al等の一部の微量不純物を簡単で安価に且つ効果的に除去する。例えば、NF膜(ナノフィルトレーション膜)分離処理、電気透析及び/又は電解、イオン交換処理等の精製処理工程と上記多孔性濾過膜での処理工程とを組み合わせれば、高純度に精製されたTAAH溶液を得ることができ、再生アルカリ現像液として電子部品製造工程等に再利用できる。

請求項（抜粋）：

フォトレジスト現像廃液の再生処理過程において、フォトレジスト及び水酸化テトラアルキルアンモニウムを少なくとも含むフォトレジスト現像廃液又は該フォトレジスト現像廃液に由来する水酸化テトラアルキルアンモニウム含有溶液を、キレート形成基を有する多孔性濾過膜、陰イオン交換基を有する多孔性濾過膜及び陽イオン交換基を有する多孔性濾過膜からなる群から選ばれる少なくとも一種のイオン交換基を有する多孔性濾過膜で処理する工程(A)を含むことを特徴とするフォトレジスト現像廃液の処理方法。

IPC (5件)：

C02F 1/44 , B01D 61/02 500 , B01D 61/44 500 , C02F 1/42 , C02F 1/469

FI (5件)：

C02F 1/44 E , B01D 61/02 500 , B01D 61/44 500 , C02F 1/42 B , C02F 1/46 103

Fターム (81件)：

4D006GA03 , 4D006GA05 , 4D006GA07 , 4D006GA16 , 4D006GA17 , 4D006HA95 , 4D006KA02 , 4D006KA16 , 4D006KA52 , 4D006KA53 , 4D006KA54 , 4D006KA55 , 4D006KA57 , 4D006KA71 , 4D006KB11 , 4D006KB30 , 4D006KE12P , 4D006KE13P , 4D006KE14P , 4D006KE15P , 4D006KE17P , 4D006KE30P , 4D006MA01 , 4D006MA03 , 4D006MA13 , 4D006MA14 , 4D006MA22 , 4D006MA24 , 4D006MA28 , 4D006MA31 , 4D006MB12 , 4D006MC18 , 4D006MC22 , 4D006MC23 , 4D006MC30 , 4D006MC54 , 4D006MC62 , 4D006MC71 , 4D006MC72 , 4D006MC73 , 4D006MC74 , 4D006MC75 , 4D006MC77 , 4D006MC78 , 4D006NA34 , 4D006NA40 , 4D006PA01 , 4D006PB08 , 4D006PB27 , 4D006PB70 , 4D006PC01 , 4D025AA09 , 4D025AB36 , 4D025AB38 , 4D025BA09 , 4D025BA10 , 4D025BA11 , 4D025BA14 , 4D025BA17 , 4D025BA22 , 4D025BA25 , 4D025BB03 , 4D025BB09 , 4D025BB18 , 4D025CA05 , 4D025DA05 , 4D025DA06 , 4D061DA08 , 4D061DB18 , 4D061EA09 , 4D061EB02 , 4D061EB13 , 4D061EB17 , 4D061EB19 , 4D061EB37 , 4D061FA08 , 4D061FA09 , 4D061GA06 , 4D061GA07 , 4D061GA14 , 4D061GA21

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