電圧発生回路

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-133460
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329791
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】本発明は、半導体記憶装置に用いるのに好適な電圧発生回路において、アクティブ時およびスタンドバイ時に安定したVDC電位を発生できるようにすることを最も主要な特徴としている。【解決手段】たとえば、内部回路に所望の電圧VDCおよび電流IAを供給する、ゲート幅がWAのジャイアントトランジスタNMOSGと、内部回路に所望の電圧VDCおよび電流ISを供給する、ジャイアントトランジスタNMOSGのゲート幅WAよりも小さいゲート幅WSをもつスモールトランジスタNMOSSGとを備え、ジャイアントトランジスタNMOSGのゲート電位をVGA、スモールトランジスタNMOSSGのゲート電位をVGSとすると、VGS<VGA、かつ、WS/WA>IS/IAとなる構成とされている。

請求項（抜粋）：

一方のノードが電源に接続され、他方のノードからチップの内部回路に所望の電圧VDCおよび電流IAを供給する、WAのゲート幅を有する第1のMOSトランジスタと、一方のノードが電源に接続され、他方のノードからチップの内部回路に所望の電圧VDCおよび電流ISを供給する、WSのゲート幅を有する第2のMOSトランジスタとを具備し、IA>IS、WA>WSであることを特徴とする電圧発生回路。

IPC (10件)：

H01L 21/8234 , G11C 11/22 501 , G11C 11/407 , G11C 11/413 , G11C 16/06 , H01L 21/822 , H01L 21/8238 , H01L 27/04 , H01L 27/088 , H01L 27/092

FI (7件)：

G11C 11/22 501 D , H01L 27/08 102 H , G11C 11/34 335 A , H01L 27/04 B , G11C 11/34 354 F , G11C 17/00 632 Z , H01L 27/08 321 L

Fターム (26件)：

5B015HH01 , 5B015JJ00 , 5B015JJ32 , 5B015JJ37 , 5B015KB64 , 5B015KB73 , 5B025AD09 , 5B025AE00 , 5F038BB04 , 5F038BB05 , 5F038DF05 , 5F038DT12 , 5F038EZ20 , 5F048AB08 , 5F048AC10 , 5M024AA32 , 5M024AA55 , 5M024AA91 , 5M024BB29 , 5M024BB37 , 5M024FF02 , 5M024FF22 , 5M024HH09 , 5M024HH11 , 5M024PP03 , 5M024PP09

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