特許

J-GLOBAL ID：200903021908813386

ガスセンサ

発明者： 安藤 正美 ,  須藤 誠一 ,  鈴木 貴弘 ,  土田 敬之
出願人/特許権者： 東陶機器株式会社
代理人 (1件)： 下田 容一郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-327166
公開番号（公開出願番号）：特開平5-142177
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1993年06月08日
要約：

【要約】【目的】 ガスセンサの応答速度及び感度を向上する。【構成】 ガスセンサ10は多孔質基体12上に電極13及び金属酸化物半導体膜14を形成して平板状のセンサ素子11を構成し、このセンサ素子11を円筒状緻密体15先端部に取り付け、この緻密体15をハウジング16の支持体17に取り付けて、センサ素子11の電極から電極リード線18,19を引出して端子20,21に接続し、またセンサ素子11の周囲にコイルヒータ22を配設して端子23,24に接続し、更にハウジング16の上部には金網25を設けている。そして、このガスセンサ10でガスの検出を行うには、ヒータ22でセンサ素子11を加熱した状態で、センサ素子11を支持している緻密体15の後端部側から吸引して金属酸化物半導体膜側から多孔質基体側に検知ガスを強制的に透過させて行なう。

請求項（抜粋）：

絶縁基体上に電極及び金属酸化物半導体膜を形成して、この金属酸化物半導体膜に対するガスの吸脱着による抵抗値の変化を利用したガスセンサにおいて、前記絶縁基体は多孔質材料で形成されていることを特徴とするガスセンサ。