特許
J-GLOBAL ID:200903021908966638

洗浄物の乾燥方法及び乾燥装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 羽切 正治 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-191863
公開番号(公開出願番号):特開2003-007671
出願日: 2001年06月25日
公開日(公表日): 2003年01月10日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 半導体ウエハやガラス基板などの基板の洗浄、すすぎ、及び乾燥に適した洗浄物の乾燥方法及び乾燥装置を提供すること。【解決手段】 薬液が供給されていない純水槽20内に洗浄物50を搬送手段により支持台28上に搬送し、純水槽20内に薬液を供給して洗浄物50を薬液中に浸漬してエッチング処理を行い、エッチング処理完了後に純水を純水層20内に供給して薬液を徐々に純水に置換してリンス処理し、リンス処理終了後に純水に代えて還元性添加純水を用いて洗浄物50をリンス処理し、純水槽20内の純水に洗浄物50が浸漬された状態で有機溶剤ミストをノズル26から供給すると共に、純水の液面に有機溶剤ミストで生成された十分な厚さの層を形成し、洗浄物50の表面上の還元性添加純水が有機溶剤ミストで生成された層に有機溶剤に置換された後、不活性ガスを窒素ガス供給口24から供給して有機溶剤を気化し乾燥する工程から成る。
請求項(抜粋):
薬液が供給されていない槽内に洗浄物を搬送手段により支持台上に搬送する工程と、前記槽内に薬液を供給して前記洗浄物を薬液中に浸漬してエッチング処理を行うエッチング処理工程と、前記エッチング処理工程完了後に純水(DIW)を前記槽内に供給して前記薬液を徐々に純水(DIW)に置換してリンスするリンス処理工程と、前記リンス処理工程終了後に前記純水(DIW)に代えて還元性添加純水を用いて前記洗浄物をリンスするリンス処理工程と、前記槽内の純水(DIW)に洗浄物が浸漬された状態で前記槽内に有機溶剤ミストを供給して有機溶剤ミストの雰囲気を形成すると共に前記純水(DIW)の液面に有機溶剤ミストで生成された十分な厚さの層を形成する工程と、前記槽内に不活性ガスを供給して密閉空間内に不活性ガス雰囲気を形成する工程と、前記洗浄物の表面上の還元性添加純水が前記有機溶剤ミストで生成された層で有機溶剤に置換された後、不活性ガスを供給して前記有機溶剤を気化し乾燥する工程とを有することを特徴とする洗浄物の乾燥方法。
IPC (4件):
H01L 21/304 651 ,  C23F 1/24 ,  F26B 21/14 ,  H01L 21/308
FI (4件):
H01L 21/304 651 J ,  C23F 1/24 ,  F26B 21/14 ,  H01L 21/308 G
Fターム (15件):
3L113AA05 ,  3L113AB09 ,  3L113BA34 ,  3L113DA10 ,  3L113DA24 ,  4K057WA01 ,  4K057WB06 ,  4K057WE07 ,  4K057WM14 ,  4K057WN01 ,  5F043AA01 ,  5F043BB27 ,  5F043DD12 ,  5F043DD13 ,  5F043GG10

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