半導体装置及び薄膜形成方法

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-323330
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150875
出願日： 1998年11月13日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】品質劣化を防止し、ゲート絶縁膜に印加される電圧による破壊を防止し、またリーク電流を低減することにより、SiCの材料特性を十分に引き出し且つ安定動作可能なSiC-FETを実現すること。【解決手段】炭化珪素基板に形成された第一導電型高抵抗ドリフト層2と、第二導電型ベース領域7と、第一導電型ソース領域8と、第二導電型ベース領域表面のゲート領域等の上に形成されたAlN膜3と、AlN膜3上に形成された表面被覆膜4とを有し、表面被覆膜4がAlx Ga1-x-y Iny N(但し、xは0≦x≦1の実数、yは0≦y≦1の実数、かつx+y≦1である。)等からなることを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

炭化珪素基板に形成された第一導電型高抵抗ドリフト層と、前記第一導電型高抵抗ドリフト層の表面層の一部に形成された第二導電型ベース領域と、前記第二導電型ベース領域内に形成された第一導電型ソース領域と、前記第二導電型ベース領域表面のゲート領域及び接合終端領域のうち少なくとも一つの領域上に形成されたAlN膜と、前記AlN膜上に形成された表面被覆膜とを有する半導体装置であって、前記表面被覆膜がAlx Ga1-x-y Iny N(但し、xは0≦x≦1の実数であり、yは0≦y≦1の実数であり、x+y≦1である。),ZnO,LiAlNO,LiGaNO,HfO,ScN,TiB2 ,UB2 、WB2 の一群より選択された1種類あるいは複数種類から構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , C23C 14/34 , C23C 16/34 , H01L 21/31 , H01L 21/314 , H01L 21/336

FI (10件)：

H01L 29/78 652 K , C23C 14/34 A , C23C 16/34 , H01L 21/31 B , H01L 21/314 A , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 W , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 658 F

Fターム (88件)：

4K029AA04 , 4K029AA24 , 4K029BA58 , 4K029BC05 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 4K030AA03 , 4K030AA04 , 4K030AA05 , 4K030AA20 , 4K030BA01 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA18 , 4K030BA20 , 4K030BA21 , 4K030BA24 , 4K030BA26 , 4K030BA27 , 4K030BA38 , 4K030BA42 , 4K030BA47 , 4K030BA49 , 4K030BA59 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030DA02 , 4K030DA08 , 4K030HA01 , 4K030HA04 , 4K030LA11 , 4K030LA15 , 5F040DA19 , 5F040DA21 , 5F040DC02 , 5F040EB13 , 5F040ED01 , 5F040ED03 , 5F040ED06 , 5F040ED07 , 5F040EE02 , 5F040EF18 , 5F040FA11 , 5F040FC05 , 5F040FC06 , 5F040FC10 , 5F040FC21 , 5F045AA04 , 5F045AB03 , 5F045AB06 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AB32 , 5F045AB40 , 5F045AC08 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AC19 , 5F045AD06 , 5F045AD10 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF02 , 5F045AF13 , 5F045AF20 , 5F045BB16 , 5F045CA05 , 5F045DA52 , 5F045DA58 , 5F045HA13 , 5F045HA15 , 5F058BA01 , 5F058BB10 , 5F058BC20 , 5F058BD01 , 5F058BD18 , 5F058BE07 , 5F058BF06 , 5F058BF27 , 5F058BF30 , 5F058BF31 , 5F058BJ01

前のページに戻る