特許

J-GLOBAL ID：200903021911745790

不揮発メモリ装置

発明者： 平井 匡彦 ,  佐藤 尚武
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-201732
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128471
出願日： 2003年07月25日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

【課題】ガラスや樹脂のような基板上に集積回路を形成し、所望のセルを選択することができるような不揮発メモリ装置を提供する。【解決手段】マトリックス配線とスイッチング素子と、記憶素子を有し、記憶素子はインピーダンスが変化する記憶素子で、スイッチング素子及び記憶素子とも有機物半導体あるいは有機物電気伝導体の少なくとも何れか一方を有する不揮発メモリ装置を提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

マトリックス配線とスイッチング素子と、記憶素子を有する不揮発メモリ装置であって、 前記記憶素子はインピーダンスが変化する記憶素子であり、前記スイッチング素子及び前記記憶素子とも有機物半導体あるいは有機物電気伝導体の少なくとも何れか一方を有することを特徴とする不揮発メモリ装置。

IPC (5件)：

H01L27/10 ,  G11C17/06 ,  G11C17/12 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (7件)：

H01L27/10 421 ,  H01L27/10 451 ,  G11C17/06 D ,  G11C17/00 304B ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28

Fターム (25件)：

5B003AA10 ,  5B003AB07 ,  5B003AC01 ,  5B003AD01 ,  5F083CR15 ,  5F083FZ07 ,  5F083HA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA37 ,  5F083JA60 ,  5F110AA30 ,  5F110BB08 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110EE02 ,  5F110FF01 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110NN01 ,  5F110NN27 ,  5F110NN36 ,  5F110NN73