特許

J-GLOBAL ID：200903021916042038

単結晶製造方法

発明者： 水田 匡彦 ,  前田 徳次 ,  田渕 正人
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-173704
公開番号（公開出願番号）：特開2001-354490
出願日： 2000年06月09日
公開日（公表日）： 2001年12月25日
要約：

【要約】【課題】 CZ法による単結晶の引上げにおいて、結晶変形率を目標値に制御し、且つgrown-in欠陥の密度を上限値以下に抑制しつつ、可及的に速い引上げ速度で安定な引上げを行う。【解決手段】 単結晶断面の真円からの変形状態の指標として、結晶変形率の目標値を予め求めておく。結晶断面におけるgrown-in欠陥の分布状態からその欠陥密度を許容範囲内に抑制するのに必要な引上げ速度の上限値を予め求めておく。予め設定した引上げ速度に従って単結晶の引上げを実施した後、その引上げにおける結晶変形率の実績値と目標値との偏差を求める。その偏差を引上げ速度の修正量に換算する。この修正量を前記引上げにおける引上げ速度の設定値に加算して、次回の引上げにおける引上げ速度の一応の設定値とする。一応の設定値を前記の引上げ速度の上限値と比較し、小さいほうを次回の引上げにおける引上げ速度として決定する。

請求項（抜粋）：

CZ法により半導体単結晶を原料融液から育成する単結晶製造方法において、単結晶断面の真円からの変形状態の指標として、結晶断面における(最大直径-最小直径)/最小直径で定義される結晶変形率の目標値dAIMを予め求めると共に、結晶断面におけるgrown-in欠陥の分布状態からその欠陥密度を許容範囲内に抑制するのに必要な引上げ速度の上限値VMAX を予め求めておき、予め設定した引上げ速度に従って単結晶の引上げを実施した後、その引上げにおける結晶変形率の実績値dACT と前記目標値dAIM との偏差Δdを求め、その偏差Δdを引上げ速度の修正量ΔVに換算して、この修正量ΔVを前記引上げにおける引上げ速度の設定値に加算すると共に、この加算により得られた引上げ速度を前記上限値VMAX と比較し、小さいほうの引上げ速度を次回以降の引上げにおける引上げ速度の設定値とすることを特徴とする単結晶製造方法。

IPC (3件)：

C30B 15/22 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 15/22 ,  C30B 29/06 502 J ,  H01L 21/208 P

Fターム (17件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EH04 ,  4G077EH09 ,  4G077EH10 ,  4G077HA12 ,  5F053AA12 ,  5F053AA13 ,  5F053AA49 ,  5F053BB04 ,  5F053BB13 ,  5F053BB14 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04