特許

J-GLOBAL ID：200903021920529707

半導体ウェハにおける少数キャリアのライフタイム測定装置

発明者： 加藤 照男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-237850
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085023
出願日： 1992年09月07日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウェハの最表面部、特にSOI半導体ウェハの表層部分の単結晶シリコン層における少数キャリアの再結合ライフタイムの測定を可能ならしめるライフタイム測定装置を提供する。【構成】 ライフタイム測定装置1の励起手段Aは、重水素ランプ10および分光器11からなる照射手段と、チョッパー20等のパルス発生手段とから構成されている。濃度測定手段Bは、マイクロ波発振器30やマイクロ波検出器40などで構成されている。重水素ランプ10から放射された電磁波λ1は、チョッパー20によりパルス状の電磁波λ2に変換され、さらに分光器11により100nm〜400nmの波長のみからなる電磁波λ3にされる。照射手段およびパルス発生手段が、夫々、248nmの波長のパルス状電磁波λ6を放射するKrFエキシマーレーザー15およびレーザー発振器25で構成されていてもよい。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハ内に少数キャリアを励起させる励起手段と、該励起手段により励起された少数キャリアの濃度を測定する濃度測定手段とを備えた半導体ウェハにおける少数キャリアのライフタイム測定装置において、前記励起手段が、半導体ウェハに400nm以下の波長の電磁波を照射する照射手段と、前記電磁波を少数キャリアのライフタイムよりも短いパルス幅で且つライフタイムよりも長い繰り返し周期のパルスにするパルス発生手段とから構成されていることを特徴とする半導体ウェハにおける少数キャリアのライフタイム測定装置。