特許
J-GLOBAL ID：200903021922864767
フォトマスク及びフォトマスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-183318
公開番号（公開出願番号）：特開2000-003029
出願日： 1998年06月15日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：
【要約】【課題】 マスクの高精度化、大型化に対応可能であるとともに、地球環境への影響を低減できるフォトマスクの製造方法等を提供する。【解決手段】 所望の露光光に対して透明な基板1上に、最終的に得ようとする所望のマスクパターンに対してポジ・ネガ反転の関係にある反転パターン5aを形成し(図1(d))、次いで、この反転パターン付き基板の上に、所望するマスクパターンを形成する材料からなる薄膜2を堆積させた後(図1(e))、この薄膜層の表層を除去することで、薄膜層の下の反転パターン5aを露出させ(図1(f))、さらにこの露出した反転パターン5a部分を選択的に除去して、マスクパターン2a部分を残すことで(図1(g))、所望する材料により形成されたマスクパターン2aを有するフォトマスクを製造する。
請求項（抜粋）：
所望の露光光に対して透明な基板上に、最終的に得ようとする所望のマスクパターンに対してポジ・ネガ反転の関係にある反転パターンを形成し、次いで、この反転パターン付き基板の上に、所望するマスクパターンを形成する材料からなる薄膜層を堆積させた後、この薄膜層の表層を除去することで、薄膜層の下の反転パターンを露出させ、さらにこの露出した反転パターン部分を選択的に除去して、マスクパターン部分を残すことで、所望する材料により形成されたマスクパターンを得ることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 L
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
2H095BB03
, 2H095BB16
, 2H095BC05
, 5F046AA25
, 5F046BA08
, 5F046CB17
