特許
J-GLOBAL ID：200903021923324324
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-359174
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199267
出願日： 1996年12月28日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 しきい値電圧の分布範囲を狭く制御でき、かつ、メモリセルのデータリテンション耐性およびリードディスターブ耐性を改善できる不揮発性半導体記憶装置を実現する。【解決手段】 パルスコントローラ20により、所望のしきい値電圧Vthに応じてマルチプレクサ10にパルス電圧VP を選択する制御信号Spを出力し、さらに選択したパルス電圧VP のレベルに応じてプログラムパルス幅を制御する制御信号φpおよびその反転信号/φpを生成し、ワード線スイッチ40に出力する。ワード線スイッチ40はこれらの制御信号に応じてロウデコーダ30により選択したワード線に印加するプログラムパルス幅を制御するので、書き込み後のメモリセルのしきい値電圧Vthの分布幅を狭く制御できる。
請求項（抜粋）：
書き込み信号の電圧値および印加時間に応じて電荷蓄積層の蓄積電荷量を変化させ、しきい値電圧を複数のレベルに設定可能な記憶素子を有する不揮発性半導体記憶装置であって、所望のしきい値電圧レベルに応じて複数の電圧値に設定されている上記書き込み信号の印加時間を上記電圧値の増加に伴い短縮させる書き込み制御手段を有する不揮発性半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 641
, G11C 17/00 611 E
