特許

J-GLOBAL ID：200903021925563555

電界電子放出材料を製造する方法および前記材料から成る電界電子エミッタ

発明者： タック,リチャード,アラン ,  バーデン,アドリアン ,  ビショップ,ヒュー ,  フッド,クリストファー ,  リー, ウォーレン
出願人/特許権者： プリンタブル フィールド エミッターズ リミテッド
代理人 (1件)： 門間 正一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-508471
公開番号（公開出願番号）：特表2003-504802
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2003年02月04日
要約：

【要約】本願発明は電界電子放出材料を製造する方法および前記材料から成る電界電子エミッタに関するものであり、本願発明による電界電子放出材料は、シリカ前駆物質をグラファイト粒子(11)に加え、シリカ前駆物質を処理してドープ処理された、及び/又は大きな欠陥のあるアモルファス・シリカ(12)を製造し、そして、アモルファス・シリカ(12)で少なくとも部分的に被覆されるように基板(13)の導電性表面(14)上にグラファイト粒子(11)を配置することによって製造されるものである。

請求項（抜粋）：

電界電子放出材料を製造する方法であって、前記方法が、 a.)シリカ前駆物質をグラファイト粒子に加える工程と、 b.)前記シリカ前駆物質を処理してドープ処理及び/又は大きな欠陥のあるア モルファス・シリカを製造する工程と、 c.)基体の導電性表面に前記グラファイト粒子を堆積させ、これらのグラファ イト粒子が少なくとも部分的に前記アモルファス・シリカで被覆されるように する工程と、を包含することを特徴とする方法。

IPC (4件)：

H01J 9/02 ,  H01J 1/304 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12

FI (4件)：

H01J 9/02 B ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  H01J 1/30 F

Fターム (8件)：

5C031DD17 ,  5C031DD19 ,  5C036EE01 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C036EH11