半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-333089
公開番号（公開出願番号）：特開平9-180450
出願日： 1995年12月21日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】データの読出し,書込み動作時の消費電力の低減をはかり、かつ適用範囲を拡大する。【解決手段】同時に並列入出力されるデータの基本のビット数と同一数のメモリセルMCを行方向に、所定数を列方向に配置し、これらメモリセルMCの各列と対応し選択されたメモリセルのデータを伝達する複数のビット線BL11,BL12〜BL81,BL82をそれぞれ備えたセルブロックCB1〜CB4を設ける。各セルブロックと対応するブロックアドレスの情報及び同時選択するセルブロック数の情報を含む選択ブロックアドレス信号SBAをデコードしてセルブロックCB1〜CB4のうちの所定の数のセルブロックを選択するセルブロック選択回路2を設ける。選択されたセルブロックの1行を選択しデータの読出し,書込みを行う。

請求項（抜粋）：

行方向に同時並列入出力されるデータの基本のビット数と同一数ずつ、列方向に所定の複数ずつ配置された複数のメモリセル、及びこれら複数のメモリセルの各列それぞれと対応して設けられ対応する列の選択されたメモリセルのデータを伝達する複数のビット線をそれぞれ含む複数のセルブロックと、これら複数のセルブロックと対応するブロックアドレスの情報並びに1つ及び複数を含む同時に選択するセルブロックの数の情報を持つ選択ブロックアドレス信号をデコードして前記複数のセルブロックのうちの所定の数のセルブロックを同時に選択するセルブロック選択回路とを備え、前記セルブロック選択回路で選択された所定の数のセルブロックそれぞれの1つの行を選択してその行のメモリセルを選択しこれらメモリセルのデータを同時に並列入出力するようにしたことを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-146183
特開平3-034189
特開平3-235290

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