特許

J-GLOBAL ID：200903021927381861

透明導電体の製造方法

発明者： 北村 真 ,  蔦尾 友重 ,  宮本 和明
出願人/特許権者： 積水化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-088540
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288049
出願日： 1994年04月26日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：

【要約】【目的】高温高湿下で使用しても抵抗値の経時変化が少なく、耐久性の優れたZnO系透明導電体を製造する方法を提供する。【構成】ZnOターゲットとSiO2 ターゲットに別々の高周波電力を投入して二元同時スパッタリングを行って、基材上にシリコンがドープされたZnOからなる透明導電膜を形成する際に、ZnOターゲットに投入する高周波電力をターゲット1cm2 当たり3〜20Wとし、SiO2 ターゲットに投入する高周波電力をZnOターゲットに投入する高周波電力の0.05〜0.6倍とすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ZnOターゲットとSiO2 ターゲットに別々の高周波電力を投入して二元同時スパッタリングにより、基材上にシリコンがドープされたZnOからなる透明導電膜を形成する際に、ZnOターゲットに投入する高周波電力をターゲット1cm2 当たり3〜20Wとし、SiO2 ターゲットに投入する高周波電力をZnOターゲットに投入する高周波電力の0.05〜0.6倍とすることを特徴とする透明導電体の製造方法。

IPC (5件)：

H01B 13/00 503 ,  C01G 9/02 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01B 5/14