特許
J-GLOBAL ID：200903021928237233
露光方法およびレジストパターン算出方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-281749
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148404
出願日： 1994年11月16日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】 高速かつ低価格で高精度なレジストパターの算出を行えるレジストパターン算出方法を提供する。【構成】 マスクパターン1および転写条件2が光強度シュミレータ3に入力され、光強度分布4が得られる。潜像形成強度シュミレーション40では、光強度分布4を用いて、着目した任意点に対する光強度と周辺の点の光強度からの影響を考慮して、任意の点について潜像形成強度分布41を求める。潜像形成強度分布41において、所定のしきい値での等高線が求められ、この等高線に応じてレジストパターンを求められる。
請求項（抜粋）：
フォトリソグラフィ工程において形成されるレジストパターンを算出するレジストパターン算出方法において、マスクパターンおよび露光条件に基づいて、ウェハー上の2次元光強度を算出し、前記ウェハーの2次元平面上の任意の着目した位置の周辺位置における光強度と、前記着目した位置と周辺位置との距離とに基づいて、前記着目した任意の位置の露光エネルギへの複数の前記周辺位置における光強度による影響を算出して累積することにより、前記着目した任意の位置での潜像形成強度を前記ウェハーの2次元平面で算出し、前記ウェハーの2次元平面における前記潜像形成強度の分布を求め、露光量および現像条件に対応した潜像形成強度のしきい値を決定し、前記潜像形成強度の分布について、前記しきい値での等高線を求め、前記等高線によって規定されるパターンをレジストパターンとして算出するレジストパターン算出方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
