特許

J-GLOBAL ID：200903021928874128

形態学的な特徴における変化を容量的に感知するための装置

発明者： ブリアン ディヴィッド アックランド ,  アレキサンダー ジョージ ディキンソン ,  ディヴィッド アンドリュー イングリス ,  ラリタ マンチャンダ ,  ガリー ロバート ウェーバー
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-197906
公開番号（公開出願番号）：特開平11-072306
出願日： 1998年07月14日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】 差動容量の大きさを増加させることによって、センサの測定感度が改善する。【解決手段】 センサの寄生容量に関して差動容量を提供する少なくとも1つの誘電体領域を有する形態学的センサを含み、その差動容量は検査中の対象物のセンサによる容量測定感度を改善する。そのセンサはサブストレート上に形成された下部誘電体領域と、上部誘電体領域と、一般にその領域間に置かれている感知素子のアレイを含む。上部および下部の領域の厚さおよび誘電率は、CIがCPより大きくなるように選定される。この方法によって、差動容量(CI-CP)が、上部領域の近くに置かれるか、あるいはそれと接触している対象物の形態学的特徴の容量測定を改善する。

請求項（抜粋）：

対象物(16)の形態学的特徴(18、19)を感知するための装置(16)であって、該装置(10)は、厚さがdL であって、誘電率がKL である、サブストレート(36)上に置かれた下部誘電体領域(34)と、前記下部誘電体領域の上に置かれていて、厚さがdU であって、誘電率がKUである上部誘電体領域(32)であって、前記上部誘電体領域の厚さdU および誘電率KU および前記下部誘電体領域の厚さdL および誘電率KL が、前記上部誘電体領域に付随している容量CU が前記下部誘電体領域に付随している容量CLおよび前記装置の寄生容量CP より少なくとも約2.0のファクターだけ大きく、前記対象物を受け取るための検出面を有している上部誘電体領域と、前記誘電体領域の間に置かれている感知素子のアレイ(12)であって、該感知素子のアレイは、前記上部誘電体領域の第1の側面と前記上部誘電体領域の反対側の第2の側面上の対象物において、前記感知素子によって形成される容量を測定するための電子回路に結合されることが可能である、感知素子のアレイとを含む装置。

IPC (2件)：

G01B 7/28 ,  G01B 7/06

FI (2件)：

G01B 7/28 A ,  G01B 7/08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 容量性感知配列装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-506743   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
• 指紋捕捉センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-332611   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
• 特開平4-231803
  
• 指紋入力装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-112728   出願人：日本電信電話株式会社