バイポーラトランジスタおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲岡耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-065247
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267321
出願日： 1992年03月23日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】バイポーラトランジスタの高速化を実現する。【構成】シリコン基板上10に酸化シリコン膜11を形成し、酸化シリコン膜上11にコレクタ領域となる第1導電型炭化シリコン膜12を積層し、第1導電型炭化シリコン膜12上にベース領域となる第2導電型シリコン膜13をヘテロ接合させて積層し、第2導電型シリコン膜13上にエミッタ領域となる第1導電型炭化シリコン膜14をヘテロ接合させて積層する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に、酸化シリコン膜が形成され、上記酸化シリコン膜上に、コレクタ領域となる第1導電型炭化シリコン膜が積層され、上記第1導電型炭化シリコン膜上に、ベース領域となる第2導電型シリコン膜がヘテロ接合されて積層され、上記第2導電型シリコン膜上に、エミッタ領域となる第1導電型炭化シリコン膜がヘテロ接合されて積層されていることを特徴とするバイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/165

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-170540
特開平1-133895
特開平2-003931

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