薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-018009
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235358
出願日： 1992年02月04日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】レーザアニールpoly-SiTFTにおいて、レーザ透過成分による基板加熱を防ぎ、製造工程の増加を抑制しつつ良好なTFTを形成する。【構成】支持基体上におけるレーザの遮蔽層を有する薄膜トランジスタ。及び遮蔽層の形成を、薄膜トランジスタを構成するソース・ドレイン電極層の形成と同時に行うことで、製造工程の増加を抑制し工程の簡略化、スループットの向上を実現する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された、ソース・ドレイン電極層、ソース・ドレイン電極層を覆い、チャネルを形成する活性層、活性層を覆う絶縁層、絶縁層上に形成されたゲート電極層を備えた薄膜トランジスタにおいて、基板上部で、かつ、活性層の下部にレーザの透過成分を減少させ得る遮蔽層を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/784 , G02F 1/136 500 , H01L 21/268 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 N , H01L 29/78 311 Y

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-130913
特開昭62-254466
特開平2-033935

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