特許

J-GLOBAL ID：200903021933832620

半導体スイッチ回路

発明者： 楠 繁雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-277667
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104718
出願日： 1992年09月24日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】通常の電池の出力電圧、例えばDC3Vで動作し得る半導体スイッチ回路を提供する。【構成】半導体スイッチ回路は、ビルトイン電圧がVb、ピンチオフ電圧がVpである第1の電界効果型トランジスタ(FET)10並びに第2のFET20、V0(V)の第1の電源30、V0+Vb(V)以上の第2の電源32、及びV0+Vp(V)以下の第3の電源34から成り、第1のFETのソース・ドレイン領域14が、第2のFETのソース・ドレイン領域22と電気的に接続され、第1の電源は、第1及び第2のFETのソース・ドレイン領域に接続され、スイッチ回路がONのとき、第1のFETのゲート電極に第2の電源が、第2のFETのゲート電極に第3の電源が接続され、スイッチ回路がOFFのとき、第1のFETのゲート電極に第3の電源が、第2のFETのゲート電極に第2の電源が接続される。

請求項（抜粋）：

ビルトイン電圧がVb、ピンチオフ電圧がVpである第1の電界効果型トランジスタ並びに第2の電界効果型トランジスタ、電圧がV0(V)の第1の電源、電圧がV0+Vb(V)以上の第2の電源、及び電圧がV0+Vp(V)以下の第3の電源から成り、第1の電界効果型トランジスタの一方のソース・ドレイン領域から信号が入力し、他方のソース・ドレイン領域から信号が出力される半導体スイッチ回路であって、第1の電界効果型トランジスタの他方のソース・ドレイン領域が、第2の電界効果型トランジスタの一方のソース・ドレイン領域と電気的に接続され、第1の電源は、第1及び第2の電界効果型トランジスタのソース・ドレイン領域に接続され、スイッチ回路がONのとき、第1の電界効果型トランジスタのゲート電極に第2の電源が接続され、第2の電界効果型トランジスタのゲート電極に第3の電源が接続され、スイッチ回路がOFFのとき、第1の電界効果型トランジスタのゲート電極に第3の電源が接続され、第2の電界効果型トランジスタのゲート電極に第2の電源が接続されることを特徴とする半導体スイッチ回路。