特許

J-GLOBAL ID：200903021934339820

酸化物半導体超格子およびこれを用いたデバイス

発明者： 齊藤 肇 ,  川崎 雅司
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  川崎 雅司
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-201095
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047607
出願日： 2002年07月10日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】酸化物半導体超格子構造において障壁層からのアルカリ金属の拡散を抑制した急峻な界面を有するヘテロ超格子構造を提供し、これを用いた効率の高いサブバンド間遷移デバイスを提供する。【解決手段】本発明にかかる酸化物半導体超格子は、酸化亜鉛系半導体井戸層(たとえばZnO井戸層11)とIA族アルカリ金属を含有する酸化物障壁層(たとえばLiGaO2障壁層12)を含むものであり、該酸化亜鉛系半導体井戸層中にリン、ホウ素の少なくともいずれかが添加されていることを特徴とする。また、本発明にかかる酸化物半導体超格子は、上記酸化亜鉛系半導体井戸層と上記酸化物障壁層の間にリン酸化物層またはホウ素酸化物層が形成されていることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

酸化亜鉛系半導体井戸層と、IA族アルカリ金属を含有する酸化物障壁層を含む酸化物半導体超格子であって、該酸化亜鉛系半導体井戸層中にリン、ホウ素の少なくともいずれかが添加されていることを特徴とする酸化物半導体超格子。

IPC (3件)：

H01S5/347 ,  H01L21/363 ,  H01S5/20

FI (3件)：

H01S5/347 ,  H01L21/363 ,  H01S5/20 610

Fターム (13件)：

5F073AA74 ,  5F073CA22 ,  5F073CB05 ,  5F073CB14 ,  5F073DA06 ,  5F103AA04 ,  5F103AA10 ,  5F103BB08 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH04 ,  5F103LL03 ,  5F103RR05