特許
J-GLOBAL ID：200903021937627257
レーザー光を用いたSi-O-Si結合を含む固体化合物の表面改質法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
村井 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-286932
公開番号（公開出願番号）：特開2004-123816
出願日： 2002年09月30日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】フレキシブル基板上にSiO2光導波路やフォトニック結晶などの光デバイスを製作するための良質のシリカガラス(SiO2)膜を形成する。【解決手段】Si-O-Si結合を含む固体化合物としてのポリシロキサン1に、波長190nm以下の真空紫外レーザー光をアブレーション閾値(約140mJ/cm2)以下で照射し、ポリシロキサンを構成している側鎖を光開裂により完全に除去し、かつその部分を膨張させることにより、ポリシロキサン表面上に高さ約3μmのSiO2隆起層を直接形成する。また、この形成されたSiO2隆起層は化学的に除去でき、再度同一ポリシロキサン上の任意の位置にSiO2隆起層を形成し、再書き込み可能な光学素子も製作できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
Si-O-Si結合を含む固体化合物表面に、真空紫外若しくはそれ以下の波長のレーザー光を照射し、SiO2隆起層を形成することを特徴とするSi-O-Si結合を含む固体化合物の表面改質法。
IPC (4件)：
C08J7/00
, B23K26/00
, C03B8/00
, H01L21/316
C08J7/00 302
, C08J7/00
, B23K26/00 E
, C03B8/00 Z
, H01L21/316 A
4E068AH00
, 4E068DB13
, 4F073AA06
, 4F073BA33
, 4F073BB03
, 4F073CA45
, 4F073CA46
, 4F073GA05
, 4F073HA03
, 4G014AG00
, 5F058BC02
, 5F058BF77
