特許
J-GLOBAL ID:200903021942569036

埋込メモリのテスト方法および構成

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-287856
公開番号(公開出願番号):特開2000-123600
出願日: 1999年10月08日
公開日(公表日): 2000年04月28日
要約:
【要約】【課題】 マイクロプロセッサを有する集積回路内の埋込みメモリをテストするための方法と構成する。【解決手段】このテスト方法において、マイクロプロセッサにテストパターンを与えてテストし、そのマイクロプロセッサの結果出力を評価し、アセンブリ言語テストプログラムのオブジェクトコードをマイクロプロセッサに供給し、そのアセンブリ言語テストプログラムのオブジェクトコードに基づいて、マイクロプロセッサによりメモリテストパターンを発生し、そのメモリテストパターンを被試験埋込みメモリに供給して、その埋込メモリの結果応答信号を、メモリに供給したテストデータと比較して評価する。
請求項(抜粋):
マイクロプロセッサコアを有する集積回路内の埋込みメモリをテストするための方法であって:マイクロプロセッサコアにテストパターンを与えてテストし、そのマイクロプロセッサの結果出力を評価するステップと、アセンブリ言語テストプログラムのオブジェクトコードをマイクロプロセッサコアに供給するステップと、そのアセンブリ言語テストプログラムのオブジェクトコードに基づいて、マイクロプロセッサコアによりメモリテストパターンを発生するステップと、そのメモリテストパターンを被試験埋込みメモリに供給して、その埋込メモリの結果応答信号を、メモリに供給したテストデータと比較して評価するステップ、とよりなる埋込メモリテスト方法。
IPC (4件):
G11C 29/00 675 ,  G01R 31/28 ,  G06F 12/16 330 ,  G06F 15/78 510
FI (4件):
G11C 29/00 675 M ,  G06F 12/16 330 A ,  G06F 15/78 510 K ,  G01R 31/28 B

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