フリップチップ形半導体装置のフェイスダウンボンディング用バンプ電極及びその作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤本博光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-235497
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084919
出願日： 1992年09月03日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】中間金属層の金属がはんだバンプ中に拡散し半導体チップのフェイスダウンボンディング表面の金属電極とはんだバンプの密着性が低下しないフリップチップ形半導体装置のフェイスダウンボンディング用バンプ電極を提供すること。【構成】半導体チップ1のフェイスダウンボンディング側表面のアルミ電極2上に、少くとも一の銅-ニッケル合金膜(4-3)を有する中間金属層5を介してはんだバンプ8を設けた。

請求項（抜粋）：

半導体チップのフェイスダウンボンディング表面に形成した金属電極上に、中間金属層を介してハンダ突起層を設けて成るフリップチップ形半導体装置のフェイスダウンボンディング用バンプ電極において、中間金属層として少くとも一の銅-ニッケル合金層を設けたことを特徴とするフリップチップ形半導体装置のフェイスダウンボンディング用バンプ電極。

FI (2件)：

H01L 21/92 D , H01L 21/92 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭57-141942
特開昭56-088359

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