半導体レーザ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-060743
公開番号（公開出願番号）：特開平9-252161
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】短共振器半導体レーザについて、支柱構造を必要とせず、選択成長によるレーザ構造の形成に際しては、光導波路の接合部で異常成長が発生しないで、しかも選択成長膜の開口部の形状誤差に影響を受けにくいレーザ構造を実現すること。【解決手段】半導体レーザは、(111)B面を主面とする化合物半導体基板1の表面であって絶縁膜2で覆われない開口部2aに第一のAlGaAsクラッド層3、GaAs活性層4、第二のAlGaAsクラッド層5を三角柱状に積層し、この半導体レーザ本体20にレーザ光取り出し光導波路21を例えば3本一体に形成して、化合物半導体基板1に垂直な{110}面からなる側面に囲まれた三角柱状の化合物半導体積層によって構成されるダブルヘテロ接合を備える。

請求項（抜粋）：

(111)B面を主面とする化合物半導体基板上に形成され、前記化合物半導体基板に垂直な{110}面からなる側面に囲まれた三角柱状の化合物半導体積層によって構成されるダブルヘテロ接合を備えたことを特徴とする半導体レーザ。

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