特許
J-GLOBAL ID:200903021949058770
半導体圧力センサおよびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
佐藤 成示 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-095493
公開番号(公開出願番号):特開平9-280985
出願日: 1996年04月17日
公開日(公表日): 1997年10月31日
要約:
【要約】【課題】 耐熱性および耐久性などの信頼性に優れた半導体圧力センサおよびその製造方法を提供。【解決手段】 感圧ダイヤフラム1aを有するシリコンチップ1と、ガラス台座2とを接合して感圧チップ3を形成し、この感圧チップ3のガラス台座2をベース台座4に接合して成る半導体圧力センサにおいて、少なくともベース台座4に対する接合表面が平滑化処理されたガラス台座2を、ベース台座4との接合に用いている。
請求項(抜粋):
感圧ダイヤフラムを有するシリコンチップと、ガラス台座とを接合して感圧チップを形成し、この感圧チップのガラス台座をベース台座に接合して成る半導体圧力センサにおいて、少なくともベース台座に対する接合表面が平滑化処理されたガラス台座を、ベース台座との接合に用いて成ることを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2件):
G01L 9/04 101
, H01L 29/84
FI (2件):
G01L 9/04 101
, H01L 29/84 B
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開昭58-118159
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特開昭62-016534
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特開昭62-072178
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世代管理制御方式
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-149112
出願人:富士通株式会社
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