特許

J-GLOBAL ID：200903021953095826

半導体ウエハの研磨方法および研磨装置

発明者： 宮下 直人 ,  南 良宏
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-045487
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242090
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】CMPプロセスにおけるウエハ面研磨からインライン洗浄までの一連のシーケンスの途中で適切な方法で薬液を使用することによってウエハ面のダスト残りを簡単に除去する。【解決手段】半導体装置製造過程のCMPプロセスで使用される半導体ウエハの素子形成面の研磨方法であって、ウエハ研磨用の研磨パッド上に1つのスラリー供給口112から研磨剤を含む研磨液、薬液、これらの混合液をシーケンシャルに供給して研磨加工する途中で、研磨液、薬液、これらの混合液の供給・停止を制御して研磨加工後における素子形成面の形状を制御するとともに素子形成面の傷、ダストを抑制する。

請求項（抜粋）：

半導体装置製造過程の化学的機械研磨プロセスで使用される半導体ウエハの研磨方法であって、少なくとも一部が前記半導体ウエハの素子形成面に対向する研磨パッド上に1つのスラリー供給口から研磨剤を含む研磨液、薬液、これらの混合液をシーケンシャルに供給して研磨加工する途中で、前記研磨液、薬液、これらの混合液の供給・停止を制御して研磨加工後における前記素子形成面の形状を制御するとともに素子形成面の傷、ダストを抑制することを特徴とする半導体ウエハの研磨方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 321 ,  B24B 37/00

FI (2件)：

H01L 21/304 321 M ,  B24B 37/00 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法及び化学的機械研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-295582   出願人：株式会社リコー
• 特開平2-158684
  
• 特開昭63-221967
  
• 特開平4-129664