特許
J-GLOBAL ID：200903021954800370
埋め込み型半導体光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-242942
公開番号（公開出願番号）：特開平10-090635
出願日： 1996年09月13日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】 性能、信頼性を向上する。【解決手段】 Siドープのn-InPからなる半導体基板28の上にSiドープのn-InPからなる第1のクラッド層31、ノンドープのInGaAs/InAlAs系MQWからなるコア層27、ノンドープのInPからなる拡散抑制層26、ノンドープのInGaAsP(バンドギャップ波長1.3μm組成)からなる拡散抑制層25、Znドープのp-InPからなる第2のクラッド層24、Znドープのp-InGaAsPからなるコンタクト層23、ZnドープのP+-InGaAsからなるコンタクト層22をメサストライプ構造に形成し、コンタクト層22の上面にAuZnNiからなるp側電極21を形成し、半導体基板28の裏面にAuGeNiからなるn側電極29を形成し、メサストライプ構造の側面をFeドープのInPからなる埋め込み層30により埋め込む。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第1の導電形を有する第1のクラッド層、コア層、第2の導電形を有する第2のクラッド層および第2の導電形を有するコンタクト層がメサストライプ構造に形成され、上記メサストライプ構造の側面が半絶縁性半導体結晶により埋め込まれている埋め込み型半導体光素子において、上記コア層と上記第2のクラッド層との間に上記第2のクラッド層および上記コア層とバンドギャップが異なる拡散抑制層を少なくとも一層挿入したことを特徴とする埋め込み型半導体光素子。
引用特許：
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