特許

J-GLOBAL ID：200903021958287618

磁気検出素子及びその製造方法

発明者： 長谷川 直也 ,  梅津 英治
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社
代理人 (1件)： 野▲崎▼ 照夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-120832
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318464
出願日： 2002年04月23日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】 狭トラック化においても適切にフリー磁性層の磁化制御を行うことができ、再生特性に優れた磁気検出素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 フリー磁性層28上には第2反強磁性層31が形成され、前記第2反強磁性層31上にはCrで形成された薄い膜厚の非磁性層32が設けられている。前記フリー磁性層28の両側端部C上には前記非磁性層32を介して第3反強磁性層33が形成されており、前記第2反強磁性層31の両側端部Cは反強磁性の性質を帯びて前記フリー磁性層28の両側端部Cの磁化は強固に固定される。前記第2反強磁性層31の中央部Dは非反強磁性であり、前記フリー磁性層28の中央部Dの磁化は外部磁界に対し磁化反転可能な程度に弱く単磁区化される。

請求項（抜粋）：

下から第1反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、フリー磁性層を有する多層膜が設けられ、前記フリー磁性層上には第2反強磁性層が設けられ、少なくとも前記第2反強磁性層の中央部上にはCrからなる非磁性層が設けられ、前記第2反強磁性層の両側端部上には、第3反強磁性層が設けられることを特徴とする磁気検出素子。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  H01F 41/14 ,  H01L 43/12

FI (6件)：

H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 M ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  H01F 41/14 ,  H01L 43/12

Fターム (9件)：

5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA16 ,  5E049CB01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気抵抗センサ及び薄膜磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-167691   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 磁気センサおよびそれを用いた磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-349304   出願人：株式会社日立製作所