特許

J-GLOBAL ID：200903021964700195

InGaP層の食刻方法

発明者： 中村 陽登
出願人/特許権者： 株式会社アドバンテスト
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-193338
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041285
出願日： 1996年07月23日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、InGaP層を食刻によって加工して半導体装置を製造する際に、金属マスクを用いても、食刻時間の短縮が可能で、加工精度の優れた食刻方法を提供することを目的とする。【解決手段】 表面にマスクとして金属膜を形成したInGaP層を、食刻液中に浸漬し、同時に光照射することを特徴とするInGaP層の食刻方法。

請求項（抜粋）：

表面にマスクとして金属膜を形成したInGaP層を、食刻液中に浸漬し、同時に光照射することを特徴とするInGaP層の食刻方法。